Certaines avancées sur les nouvelles mémoires intelligentes devraient déboucher sur une production commerciale d'ici à la fin de l'année 2012. C'est notamment le cas pour HP et sa ReRAM qui pourrait potentiellement remplacer les mémoires de type Flash et DRAM. Pour bien comprendre la ReRAM, il faut savoir qu'elle est construite autour des memristors. Ces dernières comprennent une résistance avec de la mémoire et sont considérées comme le quatrième composant électrique passif (après le condensateur, la bobine et la résistance), selon les travaux du professeur Leon Chua, de l'Université de...