Toshiba et SanDisk ont conjointement mis au point une technologie de gravure en 15 nanomètres pour les mémoires flash NAND très utilisées dans les smartphones et tablettes. Ce développement est le premier dans le monde et remplacera la deuxième génération de gravure à 19 nm lorsque la production démarrera à la fin de ce mois dans l'usine japonaise Fab 5 de Toshiba à Yokkaichi, a expliqué ce dernier. Il sera d'abord appliqué aux architectures mémoire flash NAND à 2 bits par cellule 128 gigabits (16 Go).
Les nouveaux composants offriront la même vitesse d'écriture que la 2èmegénération gravée en 19 nm, mais le taux de transfert des données sera multiplié par 1,3 pour atteindra 533 megabits par seconde avec une interface haute vitesse. La technologie 15 nm sera également utilisée pour les architectures de mémoire flash NANA à 3 bits par cellule, dont la production sera lancée en juin, précise encore Toshiba.
De son côté, SanDisk promeut  lui aussi sa technologie 1Z (15 nm) qu'il décrit comme la plus petite et la plus rentable pour les composants 128 gigabits. « Elle sera utilisée pour une large gamme de solutions, des cartes amovibles jusqu'aux SSD pour l'entreprise », indique-t-il.