Toshiba développe de la MRAM pour smartphones

Toshiba a développé une version basse consommation des  mémoires MRAM (magnetoresistive random access memory) qui, selon le groupe, pourra réduire de deux tiers la consommation d'énergie des processeurs mobiles. La firme a déclaré lundi que cette MRAM pouvait être utilisée dans les smartphones comme mémoire cache pour processeurs mobiles, en remplacement de la SRAM ((Static Random Access Memory) qui est largement répandue actuellement.

 « Récemment, la quantité de SRAM utilisée par les processeurs d'applications mobiles a augmenté, ce qui a fait croître la consommation d'énergie», a déclaré le porte-parole de Toshiba, Atsushi Ido. « Cette recherche est axée sur la réduction de la consommation énergétique, tout en augmentant la vitesse, par opposition à la hausse de la quantité de mémoire. »

Réduire la consommation électrique dans les terminaux mobiles est une priorité pour les fabricants d'équipements,  la chaleur et la durée de vie de la batterie faisant partie des préoccupations majeures des consommateurs. La MRAM utilisée pour les mémoires cache sera de l'ordre de plusieurs méga octets de stockage. Elle utilise le stockage magnétique pour garder une trace des bits, contrairement à la plupart des technologies actuelles RAM, qui utilisent des charges électriques. Non volatile, elle conserve ses données même sans alimentation, mais nécessite généralement plus de courant pour fonctionner à des vitesses élevées.

Utilisation de la technologie spin-torque

Toshiba a déclaré que le fruit de sa recherche s'appuyait sur  la technologie spin-torque, dans laquelle le spin des électrons est utilisé pour définir l'orientation de ses bits magnétiques, abaissant la charge nécessaire pour les écritures de données. Ses puces utilisent des éléments qui sont plus petits que 30 nm. Atsushi Ido a précisé qu'il n'y aurait pas de délai pour que sa mémoire cache MRAM fasse son entrée sur le marché.

Par ailleurs,  le constructeur travaille également avec Hynix pour développer de la MRAM pour la prochaine génération de produits. Le constructeur a annoncé son intention de promouvoir des terminaux qui combinent plusieurs technologies de mémoire, comme les MRAM et flash NAND.

Le mois dernier, Everspin a annoncé qu'il avait livré la première puce MRAM ST (Spin-Torque)  au niveau mondial en remplacement de la DRAM. La société a déclaré que ses puces serviraient de mémoire tampon dans les disques SSD, et qu'elles seraient utilisées en particulier dans des centres de calcul.

Toshiba présentera ses travaux de  recherche lors de la réunion internationale de l'IEEE Electron Devices (IEDM) qui se déroule cette semaine à San Francisco et qui se concentre sur les  technologies de semi-conducteurs. L'IEEE est une organisation qui promeut la recherche, en particulier sur de l'ingénierie électrique.