Pour démarrer, Intel et Micron ont conçu un modèle test de 8 Go dont les composants ont été gravés en 20nm, lequel devrait être produit à grande échelle dès le second semestre de cette année. Les deux partenaires devraient également produire une unité de 16 Go. En théorie, ils pourraient faire tenir jusqu'à 128 Go de mémoire flash sur un disque SSD de la taille d'un timbre-poste.
La mémoire flash en 20 nm permet d'obtenir plus de capacité de stockage dans un espace plus fin et à moindre coût. Il y a un an environ, IM Flash Technologies avait introduit la technologie flash à 25nm - doublant alors la capacité de mémoire par rapport au procédé précédent. Juste au moment où les concurrents parviennent enfin à rivaliser avec la mémoire flash à 25nm, Intel et Micron mettent la barre encore plus haut.
Dans le communiqué de presse publié par IM Flash Technologies annonçant le 20nm, on peut lire : « la réduction de la taille du support de stockage flash permet une plus grande efficacité au niveau du système. Elle offre également aux fabricants de tablettes et de smartphones la possibilité d'utiliser l'espace supplémentaire pour améliorer d'autres éléments, par exemple inclure une batterie de plus grande taille, un écran plus grand ou ajouter une puce supplémentaire pour gérer d'autres fonctionnalités. »
Recensement des avantages du 20 nm
Appliquée à la mémoire flash, la technologie à 20 nm nécessite, à capacité égale, 30 à 40 % d'espace en moins que son homologue à 25 nm équivalente. Les fabricants de périphériques peuvent tirer parti de ce facteur pour développer des appareils encore plus petits que les dispositifs mobiles actuels.
Des appareils moins chers : la mémoire flash à 20 nm coûte trois fois moins chère à produire que la mémoire actuelle à 25nm. Les fabricants peuvent réaliser des marges plus élevées sur leurs produits, ou encore répercuter les économies réalisées en baissant leurs prix, ou faire un peu des deux.
Une plus grande fonctionnalité : la nouvelle mémoire prend donc 30 à 40 % d'espace en moins pour une capacité de stockage identique, à un tiers du coût actuel. Les fabricants de smartphone et de tablettes peuvent profiter de l'espace disponible et de la différence de coût pour ajouter de nouvelles fonctionnalités aux dispositifs existants sans affecter leur taille actuelle ou leur prix.
Les concurrents n'ont plus maintenant qu'à chercher à atteindre la barre des 20 nm. Sauf qu'IM Flash Technologies aura déjà une longueur d'avance sur eux : l'entreprise se prépare à dévoiler un processus à 16nm plus tard cette année. A se demander ce qui pourrait advenir si la mémoire flash atteignait la taille de 1 nm...
Intel et Micron annonce des mémoires Flash Nand en 20 nm
En mettant au point un processus de gravure à 20 nm, IM Flash Technologies, la joint-venture créée entre Intel et Micron, a franchi une étape en matière de mémoire flash NAND. Cette technologie gravée en 20nm ouvre en effet sur un horizon riche en possibilités pour les smartphones, tablettes et autres équipements nomades