En août dernier, Samsung avait annoncé qu'il avait trouvé une autre solution très innovante pour rendre sa mémoire flash 3D V-NAND encore plus dense. Hier, le constructeur a fait savoir que la production de masse de cette mémoire 3D V-Nand 3 bits avait démarré. Sa solution pourrait permettre de faire chuter le prix de la technologie SSD V-Nand, jugée beaucoup trop chère. En juillet dernier, Samsung avait sorti un disque SSD V-Nand 850 Pro qui a fait l'unanimité. Premier disque flash à mémoire verticale jamais proposé par un constructeur, le SSD V-Nand 850 Pro utilise une technologie à 2 bits par cellule, égalant voir surpassant ses concurrents en terme de vitesse, d'endurance et d'efficacité énergétique. Samsung a voulu mettre le paquet en offrant aussi la meilleure classe logicielle et une garantie de 10 ans sur ses lecteurs. En d'autres termes, la série Pro 850 a fait l'effet d'une bombe.

Mais, il fallait vouloir en payer le prix, puisque le coût au gigaoctet de la plupart des modèles revenait à 1 dollar HT, ce qui n'était pas courant sur le marché du SSD. Mais, les choses risquent de changer bientôt. La mémoire flash est construite sur des plaquettes de silicium géantes et plus la densité augmente, mieux c'est. Selon Samsung, comparées aux plaquettes traditionnelles à 10 nm de mémoire flash 3 bits, les plaques V-Nand 3 bits permettent d'inscrire deux fois plus de mémoire flash. L'astuce consiste à empiler les couches de cellules flash verticalement, alors que dans la mémoire flash traditionnelle, les cellules sont alignées côte à côte horizontalement. Par ailleurs, le processus de fabrication offrant un meilleur rendement, cela permet aussi de réduire les coûts, et ces économies se retrouvent généralement au niveau des utilisateurs finaux.

Des modèles avec V-Nand 3 bits un peu moins chers

Même si Samsung n'a pas encore annoncé de SSD construit autour de la mémoire V-Nand 3 bits, il ne faut pas s'attendre à ce que ce nouveau produit détrône les SSD 850 Pro de première génération en terme de performance. Traditionnellement, les disques Nand « MLC » à 2 bits par cellule offrent de meilleures vitesses de lecture et d'écriture et affichent une durée de vie plus longue que les SSD Nand 3 bits « TLC ». Essentiellement, le grand avantage des disques Nand 3 bits se situe dans la baisse du prix et l'augmentation des capacités de stockage. En effet, Bob Brennan, vice-président du laboratoire mémoire de Samsung Semiconductor, avait déclaré à PCWorld plus tôt cette année que les SSD 3 bits V-Nand seraient sans doute plus utiles pour le stockage courant que pour la performance. Sans jouer les devins, on peut imaginer que Samsung gardera sa gamme de SSD 850 Pro pour les amateurs exigeants, et destinera les éventuels disques SSD 3 bits V-NAND « à tous les autres ».

La question devrait être bientôt tranchée puisque les premiers disques V-Nand SSD 3 bits de Samsung sont annoncés pour la fin de l'année. L'évènement n'est pas anodin : les V-NAND de Samsung apportent une avancée technologique majeure, mais son impact réel ne pourra être apprécié qu'au moment où les disques seront accessibles au grand public. Et le TLC V-Nand va ouvrir cette voie. Il sera alors intéressant de suivre la compétition entre les disques SSD 3 bits V-Nand et les modèles TLC.