Actuellement, les produits de mémoire flash NAND, tels que des SSD acceptent des vitesses en écriture de l'ordre de 2 Gbit/s. IBM indique que sa mémoire à changement de phase (PCM) permet de stocker deux bits de données par cellule, sans problèmes d'erreur de données, ce qui était un inconvénient majeur au début des recherches sur les PCM. Ces dernières utilisent un matériau proche du verre qui peut passer de multiples états vers des formes cristallines en fonction de la façon dont ses atomes sont réarrangés. La problématique des erreurs de données a été résolue en utilisant une méthode d'encodage capable de gérer les changements dans la résistance.

Comme la mémoire flash NAND, qui est utilisé dans les SSD, la PCM est non volatile - ce qui signifie qu'elle conserve les données même après l'arrêt de l'ordinateur. De plus, la mémoire flash NAND a un cycle d'écriture de données relativement lent et la durée de vie de la mémoire varie de 5 000 à 10 000 cycles d'écriture dans les produits grand public et jusqu'à 100 000 cycles pour les solutions de classe entreprise. La PCM peut soutenir jusqu'à 5 millions de cycles d'écriture, selon IBM avec un temps de latence de 10 millisecondes.

« Si votre capacité moyenne est de 3 000 écritures, cela ira pour la plupart des téléphones mobiles et les lecteurs MP3, mais cela ne passera pas pour les entreprises qui réalisent ces écriture en une heure », a déclaré Christopher Sciacca, directeur des communications du laboratoire de recherche IBM à Zurich.

Le MLC apporte de nouveaux horizons

Haris Pozidis, responsable des technologies mémoires et sondes dans ce laboratoire indique que ses équipes ont testé ces derniers mois une mémoire MLC (multi-level cell) qui est capable de stocker deux, voire 3 bits de données. Outre les applications pour les entreprises et dans le cloud (où les besoins de stockage sont en pleine croissance), la mémoire à changement de phase peut aussi servir d'extension pour la DRAM.

Alors que la DRAM devrait être utilisée comme l'élément mémoire le plus proche du CPU pour les données les plus actives, Harris Pozidis prédit que la PCM, avec sa grande capacité, pourrait servir pour les données les moins fréquemment consultées. Un peu comme avec les cartes Fusion I/O. « La PCM, de gravure assez large 90 nanomètres, agirait comme un entrepôt. Si les données sont appelées plus fréquemment, elle pourrait les renvoyer à la DRAM » précise le chercheur. Dans un autre scénario, il explique que le CPU pourrait dialoguer directement à la PCM.

IBM a indiqué qu'il ne produirait pas en propre les mémoires mais laisserait aux constructeurs comme Samsung intégrer cette technologie dans leurs produits.


Illustration : Mémoire PCM-RAM développée par Samsung
Crédit Photo: Samsung