Hier, en annonçant un nouveau type de mémoire dite RRAM (Resistive Random-Access Memory), la startup Crossbar fondée en 2010 est soudain sortie de l'anonymat. Le nouveau type de RAM pourrait succéder à la DRAM et au stockage flash. La startup compte fabriquer elle-même sa RRAM et en vendre la conception sous licence, expliquent nos confrères d'IDG News Service. « Cette mémoire non volatile dite Resistive Random-Access Memory est plus petite, plus rapide et plus économe en énergie que la mémoire flash NAND et la RAM », leur a expliqué le CEO de Crossbar, George Minassian. « Sa densité est plus grande... et son courant, beaucoup plus faible » et, du fait « de ses caractéristiques physiques et électriques, cette mémoire pourrait tout à fait servir de support de stockage dans les smartphones, les tablettes, les PC et les serveurs ».

Selon Crossbar, les performances en écriture de cette RRAM sont 20 fois plus élevées, elle est 20 fois moins gourmande en énergie et 10 fois plus solide que la mémoire flash NAND. « Les puces RRAM sont empilables, et un module de 1 To occupe à peu près la moitié de la taille d'un module flash NAND pour une capacité de stockage similaire », indique George Minassian. Il n'a pas donné de fourchette de prix pour ce module, mais selon lui, il sera moins cher que son équivalent NAND parce qu'il est moins coûteux à fabriquer. Crossbar vendra également sa technologie sous licence à d'autres fabricants. « Il faudra attendre environ deux ou trois ans avant de voir cette mémoire apparaître dans les produits, mais cela dépendra de la demande », explique le CEO de Crossbar. « On verra ce qui se passera à ce moment-là ».

Une approche multicouche pour stocker les données

Le fonctionnement de la RRAM est différent de la mémoire flash NAND et de la RAM. Contrairement à la mémoire flash NAND, la technologie Crossbar n'utilise pas de transistors ou de système pour piéger la charge. Elle utilise une approche multicouche pour stocker les données. Une cellule RRAM présente trois couches, dont une isolation intermédiaire qui permet de déterminer si la cellule stocke un 1 ou un 0. La couche supérieure comporte une électrode métallique, alors que celle du bas a une électrode non métallique. La supérieure oriente les ions métalliques vers la couche intermédiaire et vers la couche inférieure, créant ainsi une liaison pour maintenir les électrodes connectées, ce que George Minassian appelle un « filament court ». Le filament formé dans l'isolant permet la conduction, moyennant l'application d'une tension relativement élevée lors de la fabrication. L'application d'une charge négative casse le « fil » et laisse un espace entre les électrodes, sans résistance, en changeant l'état de la cellule mémoire. « Ce n'est pas une porte comme dans la technologie NAND et NOR. C'est une mémoire résistive. C'est de là que vient la RRAM », a encore expliqué le CEO de Crossbar.