IBM, Infineon et Samsung viennent de parvenir à produire leurs premiers circuits gravés en 45 nm, avec l'aide de Chartered Semiconductor Manufacturing. Les puces ont été façonnées sur des galettes de silicium de 300 mm, sur la chaîne de production d'IBM de East Fishkill, dans l'Etat de New York. Parmi les éléments gravés avec succès, on compte notamment la mémoire embarquée et les composants d'entrée/sortie, précise Big Blue, sans indiquer si la gravure d'autres composants avait quant à elle échoué (*). Lisa Su, vice-présidente d'IBM chargée de la recherche et développement pour semi-conducteurs, estime que les puces gravées en 45 nm devraient pouvoir afficher des performances de 30 % supérieures à celles des puces gravées en 65 nm. Chartered, IBM et Samsung prévoient d'utiliser leur procédé de gravure en 45 nm de manière industrielle d'ici à la fin 2007. Déjà, les partenaires ont rendu disponible des kits de conception de puces en vue d'une gravure selon le procédé qu'ils mettent au point. (*) Lors d'une gravure imparfaite, les puces ne sont pas jetées mais sont recyclées vers du matériel d'entrée de gamme.