Samsung Electronics vient de lever le voile sur la PRAM (phase-change RAM), conçue pour succéder aux mémoires flash NOR, notamment pour équiper les téléphones mobiles. Prévues pour être commercialisées en 2008, ces nouvelles puces associent la rapidité d'accès de la mémoire vive à la non-volatilité des mémoires flash. Selon le constructeur, la PRAM est 30 fois plus rapide que la mémoire flash, plus simple à fabriquer et supporte dix fois plus de cycles lecture/écriture. La PRAM utilise le même matériau que les disques optiques réinscriptibles, qui présente la particularité de passer d'un état cristallin à un état amorphe en fonction de la charge électrique lui étant appliquée. Dans la mesure où il conserve son état tant qu'il ne reçoit pas de nouvelle charge électrique, le matériau permet de stocker des données sans être alimenté. On parle alors de non volatilité. En juillet, Freescale Semiconductor présentait sa propre technologie de RAM non volatile, la MRAM, alors que d'autres groupes planchent sur des composants aux propriétés équivalentes comme la FeRAM ou autre NRAM. En dépit de ces nombreuses alternatives dans les bacs, la PRAM de Samsung sera avant tout en concurrence avec Intel et Spansion, les deux principaux fabricants de flash NOR. Les mémoires NOR et NAND équipent la majorité des téléphones multimédia auxquels elles apportent leur capacité à stocker de gros volumes de données et leur rapidité d'accès. Samsung prévoit de débuter la commercialisation des mémoires PRAM en bloc de 512 Mbit.