Tous les trimestres, le site de notre confrère Extremtech propose un tableau comparatif très instructif sur l'évolution des prix des SSD aux États-Unis, avec pour dénominateur commun le prix au Go pour les modèles équipés de 128, 256 ou 500 Go de mémoire flash.  Pour résumer rapidement - mais je vous invite à aller regarder les données sur le site d'Extremtech - le prix au Go est à la baisse sur les SSD de grande (500 Go) et de petite (128 Go) capacité avec un prix inférieur à 1,07 $ HT pour les premiers et de 79 cents HT pour les seconds aux États-Unis, mais les tarifs des modèles  256 Go est à la hausse à 97 cents HT. La multiplication des offres et la hausse de la production de composants NAND MLC explique ces tendances. Et, on peut rester optimiste pour les mois qui viennent avec l'arrivée de la technologie V-NAND (Vertical NAND) qui vient juste d'entrer en production de masse chez Samsung.

A la différence des composants NAND traditionnels qui utilisent une structure en deux dimensions, la V-NAND exploite le relief un peu comme sur les transistors 3D chez Intel ou les plateaux perpendiculaires des disques durs. Les V-NAND sont capables d'empiler jusqu'à 24 couches dans un seul composant pour augmenter la capacité de stockage des cellules flash. Le Sud-Coréen pousse cette technologie pour repousser les limites de la gravure qui plafonne aujourd'hui à 10 nm dans les laboratoires. Les premiers SSD de Samsung à utiliser cette technologie arrivent avec des capacités de 480 et 960 Go. Le Sud-Coréen n'a pas encore indiqué la finesse de gravure de ces puces V-NAND, mais le gain en production serait déjà deux fois supérieur que sur les chaines de fabrication dédiées à la NAND 2D. Très logiquement les cycles d'écritures des V-NAND sont meilleurs avec un chiffre de 35 000 contre 25 000 environ pour la MLC.

Un pionnier bientôt rejoint par  les concurrents

C'est la première fois que la technologie d'empilement 3D est utilisée dans la flash NAND, selon Weinger. Samsung se déplace à une conception 3D car le développement des dispositifs flash NAND horizontalement est devenu plus difficile avec des tailles de puces qui rétrécissent, selon  Steve Weinger, directeur marketing de l'activité NAND chez Samsung Semiconductor, une division de Samsung. L'industrie des semi-conducteurs parle de cet empilement des puces depuis plusieurs années, et la technologie de Samsung montre où pourrait se diriger l'industrie de la mémoire ces prochaines années, a déclaré Dean McCarron, analyste principal chez Mercury Research. « Si vous essayez de mettre beaucoup de choses dans un paquet, vous voyez la technologie atteindre ses limites physiques, il est donc logique de commencer à empiler », a déclaré M. McCarron.



Un des premiers SSD Samsung exploitant les composants flash V-NAND

Stocker des bits verticalement peut également aider à réduire la distance entre les composants qui ont besoin de communiquer les uns avec les autres, ce qui également d'accélérer les transferts de données, a-t-il ajouté. Un travail fort intéressant donc quand on sait que ces supports de stockage ne sont plus réservés aux modèles haut de gamme et sont souvent combinés à un disque dur externe de grande capacité.