La porte vers la gravure commerciale à 45 nanomètres s'appelerait-elle « high-k material » ? C'est ce que semblent penser IBM et Intel. A quelques heures d'intervalles, les deux compagnies ont annoncé l'intégration de ce nouvel alliage comme isolant au sein de leurs transistors. Plus résistant et plus économe en électricité, le « high-k » permet de réaliser des transistors plus fins, et donc d'ajouter plus de transistors sans surchauffer le processeur. Intel se servira de cet alliage comme une couche protectrice autour du dioxyde de silicone utilisé traditionnellement. De cette façon, le fondeur annonce 15 nouveaux processeurs utilisant cette technologie pour la fin de l'année, avec un déploiement commercial complet en début d'année 2008. Les cinq premières puces annoncées seront un processeur double coeur pour ordinateur portables, deux processeurs bi et quadricoeur pour PC et deux processeurs bi et quadricoeur pour serveurs. Aucune fréquence, ni aucun ordre de prix ne sont pour l'instant disponibles. IBM, quant à lui, ne contente pas d'enrober le silicone, mais le mélange au métal « high-k » au coeur de l'isolant. Ce qui, selon Richard Doherty, analyste senior de The Envisioneering group, mènerait à terme vers des processeurs plus rapides, et plus petits. Selon Bernie Meyerson, responsable technologique d'IBM : « Notre méthode est une solution de remplacement pur et simple du dioxyde de silicone ». Elle servira à terme à atteindre la gravure à 32 nanomètres, voir à 22 nanomètres. Toutefois la société devrait lancer ses premiers processeurs « high-k » à 45 nanomètres d'ici à la fin de l'année 2008.