IBM vient de révéler quel matériau il avait utilisé pour construire ses transistors « high-k », qui lui permettront d'aller en deçà des 45 nm pour la gravure de ses puces en 2008. Les matériaux dits « high-k » ont une haute constante diélectrique, ce qui permet de réaliser des transistors plus fins qu'avec l'actuel silicium, et donc d'en placer davantage sur une seule puce. La technique actuelle présente en effet une barrière physique, provoquant échauffement et erreurs, impossible à dépasser sauf à changer de matériau. Les chercheurs d'IBM ont eu recours à leur supercalculateur Blue Gene - à 4096 processeurs - pour simuler 50 combinaisons de silicium avec du dioxyde d'Hafnium (HfO2). Le programme, qui modélisait les interactions des quelque 600 atomes pour chaque modèle, a tourné pendant 250 jours, soit 5 jours pour chaque combinaison. Sur un PC portable classique, raconte Alessandro Curioni, un des auteurs de l'étude aux laboratoires IBM de Zurich, cela aurait pris 700 ans. Intel, qui avait annoncé en même temps qu'IBM le mois dernier être parvenu à établir une recette de matériau « high-k », dit être en mesure de produire des puces recourant à cette nouvelle mixture dès la fin de l'année, en 45 nm.
IBM recourra au dioxyde d'Hafnium pour graver ses puces en 2008
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